Carbur de silici SiC

Descripció

Hòstia de carbur de silici SiC, és un compost cristal·lí de silici i carboni molt dur, produït sintèticament pel mètode MOCVD, i presentala seva única banda àmplia i altres característiques favorables de baix coeficient d'expansió tèrmica, temperatura de funcionament més alta, bona dissipació de calor, menors pèrdues de commutació i conducció, més eficient energètica, alta conductivitat tèrmica i força de ruptura del camp elèctric més forta, així com corrents més concentrats. condició.El carbur de silici SiC de Western Minmetals (SC) Corporation es pot proporcionar amb una mida de 2 ", 3' 4" i 6 "(50 mm, 75 mm, 100 mm, 150 mm) de diàmetre, amb hòsties de tipus n, semiaïllants o simulades per a la indústria. i aplicació de laboratori. Qualsevol especificació personalitzada és la solució perfecta per als nostres clients a tot el món.

Aplicacions

La hòstia SiC de carbur de silici 4H/6H d'alta qualitat és perfecta per a la fabricació de molts dispositius electrònics d'avantguarda, ràpids, d'alta temperatura i d'alta tensió, com ara díodes Schottky i SBD, MOSFET i JFET de commutació d'alta potència, etc. també un material desitjable en la investigació i desenvolupament de transistors i tiristors bipolars de porta aïllada.Com a material semiconductor de nova generació excepcional, la hòstia SiC de carbur de silici també serveix com a dispersor de calor eficient en components LED d'alta potència o com a substrat estable i popular per fer créixer la capa de GaN a favor d'una futura exploració científica.

Consulta ara

Detalls

Etiquetes

Especificació tècnica

Carbur de silici SiC

Carbur de silici SiCa Western Minmetals (SC) Corporation es pot proporcionar amb una mida de 2 "3' 4" i 6" (50 mm, 75 mm, 100 mm, 150 mm) de diàmetre, amb hòstia de tipus n, semiaïllant o simulada per a aplicacions industrials i de laboratori .Qualsevol especificació personalitzada és per a la solució perfecta per als nostres clients a tot el món.

Fórmula lineal	SiC
Pes Molecular	40.1
Estructura de cristall	Wurtzita
Aparença	Sòlid
Punt de fusió	3103±40K
Punt d'ebullició	N/A
Densitat a 300K	3,21 g/cm³
Bretxa energètica	(3.00-3.23) eV
Resistivitat intrínseca	>1E5 Ω-cm
Número CAS	409-21-2
Número EC	206-991-8

No.	Elements	Especificació estàndard
1	Mida SiC	2"	3"	4"	6"
2	Diàmetre mm	50,8 0,38	76,2 0,38	100 0,5	150 0,5
3	Mètode de creixement	MOCVD	MOCVD	MOCVD	MOCVD
4	Tipus de conductivitat	4H-N, 6H-N, 4H-SI, 6H-SI
5	Resistivitat Ω-cm	0,015-0,028;0,02-0,1;> 1E5
6	Orientació	0°±0,5°;4,0° cap a <1120>
7	Gruix μm	330±25	330±25	(350-500)±25	(350-500)±25
8	Ubicació principal del pis	<1-100>±5°	<1-100>±5°	<1-100>±5°	<1-100>±5°
9	Longitud plana primària mm	16±1,7	22,2±3,2	32,5±2	47,5±2,5
10	Ubicació Pis Secundària	Silici cap amunt: 90°, en sentit horari des de la plana principal ±5,0°
11	Longitud plana secundària mm	8±1,7	11,2±1,5	18±2	22±2,5
12	TTV μm màx	15	15	15	15
13	Arc μm màx	40	40	40	40
14	Deformació μm màx	60	60	60	60
15	Exclusió de vora mm màx	1	2	3	3
16	Microtuba Densitat cm-2	<5, industrial;<15, laboratori;<50, maniquí
17	Luxació cm-2	<3000, industrial;<20000, laboratori;<500000, maniquí
18	Rugositat superficial nm màx	1 (polit), 0,5 (CMP)
19	Esquerdes	Cap, per a grau industrial
20	Plaques hexagonals	Cap, per a grau industrial
21	Esgarrapades	≤3 mm, longitud total inferior al diàmetre del substrat
22	Xips de vora	Cap, per a grau industrial
23	Embalatge	Envàs d'hòstia únic segellat en bossa composta d'alumini.

Carbur de silici SiC 4H/6HLa hòstia d'alta qualitat és perfecta per a la fabricació de molts dispositius electrònics d'avantguarda ràpids, d'alta temperatura i d'alta tensió, com ara díodes Schottky i SBD, MOSFET i JFET de commutació d'alta potència, etc. També és un material desitjable en el investigació i desenvolupament de transistors i tiristors bipolars de porta aïllada.Com a material semiconductor de nova generació excepcional, la hòstia SiC de carbur de silici també serveix com a dispersor de calor eficient en components LED d'alta potència o com a substrat estable i popular per fer créixer la capa de GaN a favor d'una futura exploració científica.