Antimonur de gal·li GaSb

Descripció

Antimonur de gal·li GaSb, un semiconductor dels compostos del grup III–V amb estructura de gelosia de zinc-blenda, es sintetitza mitjançant elements de gal·li i antimoni d'alta puresa 6N 7N i es fa créixer fins a cristal·litzar mitjançant el mètode LEC a partir de lingot policristalí congelat direccionalment o mètode VGF amb EPD <1000 cm.^-3.L'hòstia de GaSb es pot tallar i fabricar després a partir d'un lingot cristal·lí únic amb una alta uniformitat de paràmetres elèctrics, estructures de gelosia úniques i constants i baixa densitat de defectes, índex de refracció més alt que la majoria dels altres compostos no metàl·lics.El GaSb es pot processar amb una àmplia selecció d'orientació exacta o fora, concentració dopada baixa o alta, bon acabat superficial i per al creixement epitaxial MBE o MOCVD.El substrat d'antimònid de gal·li s'està utilitzant en les aplicacions fotoòptiques i optoelectròniques més punteres, com ara la fabricació de detectors fotogràfics, detectors d'infrarojos de llarga vida, alta sensibilitat i fiabilitat, component fotoresist, LEDs i làsers infrarojos, transistors, cèl·lules fotovoltaiques tèrmiques. i sistemes termofotovoltaics.

Lliurament

El Gallium Antimonide GaSb a Western Minmetals (SC) Corporation es pot oferir amb conductivitat semi-aïllant de tipus n, p i no dopada amb una mida de 2" 3" i 4" (50 mm, 75 mm, 100 mm) de diàmetre, orientació <111> o <100>, i amb un acabat superficial d'hòstia d'acabats tallats, gravats, polits o preparats per a epitàxia d'alta qualitat.Totes les rodanxes estan gravades amb làser individualment per a la seva identitat.Mentrestant, el terròs de GaSb d'antimonur de gal·li policristalí també es personalitza a petició per obtenir la solució perfecta.

Consulta ara

Detalls

Etiquetes

Especificació tècnica

Antimònid de gal·li

GaSb

Antimonur de gal·li GaSbEl substrat s'està utilitzant en les aplicacions fotoòptiques i optoelectròniques més punteres, com ara la fabricació de detectors fotogràfics, detectors d'infrarojos de llarga vida, alta sensibilitat i fiabilitat, component fotoresist, LEDs i làsers infrarojos, transistors, cèl·lules fotovoltaiques tèrmiques i tèrmics. - Sistemes fotovoltaics.

	Elements	Especificació estàndard
1	Mida	2"	3"	4"
2	Diàmetre mm	50,5±0,5	76,2±0,5	100±0,5
3	Mètode de creixement	LEC	LEC	LEC
4	Conductivitat	Tipus P/dopat amb Zn, no dopat, tipus N/dopat Te
5	Orientació	(100)±0,5°, (111)±0,5°
6	Gruix μm	500±25	600±25	800±25
7	Orientació Pla mm	16±2	22 ± 1	32,5±1
8	Identificació Pla mm	8 ± 1	11±1	18 ± 1
9	Mobilitat cm2/Vs	200-3500 o segons sigui necessari
10	Concentració de portadors cm-3	(1-100)E17 o segons sigui necessari
11	TTV μm màx	15	15	15
12	Arc μm màx	15	15	15
13	Deformació μm màx	20	20	20
14	Luxació Densitat cm-2 màx	500	1000	2000
15	Acabat superficial	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P
16	Embalatge	Envàs d'hòstia únic segellat en bossa d'alumini.

Fórmula lineal	GaSb
Pes Molecular	191,48
Estructura cristal·lina	Blenda de zinc
Aparença	Sòlid cristal·lí gris
Punt de fusió	710 °C
Punt d'ebullició	N/A
Densitat a 300K	5,61 g/cm³
Bretxa energètica	0,726 eV
Resistivitat intrínseca	1E3 Ω-cm
Número CAS	12064-03-8
Número EC	235-058-8

Antimonur de gal·li GaSba Western Minmetals (SC) Corporation es pot oferir amb conductivitat semi-aïllant de tipus n, tipus p i no dopada amb una mida de 2" 3" i 4" (50 mm, 75 mm, 100 mm) de diàmetre, orientació <111> o <100 >, i amb acabat superficial en hòstia d'acabats tallats, gravats, polits o preparats per a epitàxia d'alta qualitat.Totes les rodanxes estan gravades amb làser individualment per a la seva identitat.Mentrestant, el terròs de GaSb d'antimonur de gal·li policristalí també es personalitza a petició per obtenir la solució perfecta.