Hòstia de silici CZ

Descripció

Hòstia de silici d'un sol cristall CZ es talla a partir d'un lingot de silici d'un sol cristall extret pel mètode de creixement Czochralski CZ, que s'utilitza més per al creixement de cristalls de silici de grans lingots cilíndrics utilitzats a la indústria electrònica per fabricar dispositius semiconductors.En aquest procés, s'introdueix una llavor prima de silici cristal·lí amb toleràncies d'orientació precises al bany fos de silici la temperatura del qual es controla amb precisió.El cristall de llavors s'estira lentament cap amunt des de la fusió a una velocitat molt controlada, la solidificació cristal·lina dels àtoms d'una fase líquida es produeix en una interfície, el cristall de llavors i el gresol es giren en direccions oposades durant aquest procés de retirada, creant un gran únic. silici cristal·lí amb la perfecta estructura cristal·lina de la llavor.

Gràcies al camp magnètic aplicat a l'estirada de lingot CZ estàndard, el silici monocristal Czochralski MCZ induït per camps magnètics té una concentració d'impureses comparativament més baixa, un nivell i una dislocació més baixos d'oxigen i una variació de resistivitat uniforme que funciona bé en components i dispositius electrònics d'alta tecnologia. fabricació en indústries electròniques o fotovoltaiques.

Lliurament

CZ o MCZ Single Crystal Silicon Wafer La conductivitat de tipus n i de tipus p a Western Minmetals (SC) Corporation es pot lliurar amb una mida de 2, 3, 4, 6, 8 i 12 polzades de diàmetre (50, 75, 100, 125, 150, 200 i 300 mm), orientació <100>, <110>, <111> amb acabat superficial de solapada, gravat i polit en paquet de caixa d'escuma o casset amb caixa de cartró exterior.

Consulta ara

Detalls

Etiquetes

Especificació tècnica

Hòstia de silici CZ

Hòstia de silici d'un sol cristall CZ és el material bàsic en la producció de circuits integrats, díodes, transistors, components discrets, utilitzat en tot tipus d'equips electrònics i dispositius semiconductors, així com substrat en processament epitaxial, substrat d'hòsties SOI o fabricació d'hòsties compostes semi-aïllants, especialment grans. Els diàmetres de 200 mm, 250 mm i 300 mm són òptims per a la fabricació de dispositius molt integrats.El silici d'un cristall únic també s'utilitza per a cèl·lules solars en grans quantitats per la indústria fotovoltaica, amb una estructura de cristall gairebé perfecta que ofereix la màxima eficiència de conversió de llum a electricitat.

No.	Elements	Especificació estàndard
1	Mida	2"	3"	4"	6"	8"	12"
2	Diàmetre mm	50,8±0,3	76,2±0,3	100±0,5	150±0,5	200±0,5	300±0,5
3	Conductivitat	P o N o no dopat
4	Orientació	<100>, <110>, <111>
5	Gruix μm	279, 381, 425, 525, 575, 625, 675, 725 o segons sigui necessari
6	Resistivitat Ω-cm	≤0,005, 0,005-1, 1-10, 10-20, 20-100, 100-300, etc.
7	RRV màx	8%, 10%, 12%
8	Plana primària/Llargada mm	Com a estàndard SEMI o segons sigui necessari
9	Pla secundari/Llargada mm	Com a estàndard SEMI o segons sigui necessari
10	TTV μm màx	10	10	10	10	10	10
11	Arc i ordit μm màx	30	30	30	30	30	30
12	Acabat superficial	Com tall, L/L, P/E, P/P
13	Embalatge	Caixa d'escuma o casset a l'interior, caixa de cartró a l'exterior.

Símbol	Si
Número atòmic	14
Pes atòmic	28.09
Categoria d'elements	Metal·loide
Grup, Període, Bloc	14, 3, pàg
Estructura cristal·lina	Diamant
Color	Gris fosc
Punt de fusió	1414 °C, 1687,15 K
Punt d'ebullició	3265 °C, 3538,15 K
Densitat a 300K	2,329 g/cm³
Resistivitat intrínseca	3,2E5 Ω-cm
Número CAS	7440-21-3
Número EC	231-130-8

Hòstia de silici de cristall simple CZ o MCZLa conductivitat de tipus n i tipus p a Western Minmetals (SC) Corporation es pot lliurar amb una mida de 2, 3, 4, 6, 8 i 12 polzades de diàmetre (50, 75, 100, 125, 150, 200 i 300 mm), orientació <100>, <110>, <111> amb acabat de superfície tallat, solapat, gravat i polit en paquet de caixa d'escuma o casset amb caixa de cartró a l'exterior.